1 前言
電路產(chǎn)業(yè)已成為國民經(jīng)濟發(fā)展的關(guān)鍵,而集成電路設(shè)計、制造和封裝測試是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大產(chǎn)業(yè)之柱。這已是各和業(yè)界的共識。微電子封裝不但直接影響著集成電路本身的電能、機械能、光能和熱能,影響其和成本,還在很大程度上決定著電子整機系統(tǒng)的小型化、多功能化、和成本,微電子封裝越來越受到人們的普遍重視,在和正處于蓬勃發(fā)展階段。本文試圖綜述自二十世紀(jì)九十年代以來迅速發(fā)展的微電子封裝,包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統(tǒng)封裝(SIP)等項。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和特點。同時,敘述了微電子三封裝的概念。并對發(fā)展我國微電子封裝提出了些思索和建議。本文試圖綜述自二十世紀(jì)九十年代以來迅速發(fā)展的微電子封裝,包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統(tǒng)封裝(SIP)等項。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和特點。同時,敘述了微電子三封裝的概念。并對發(fā)展我國微電子封裝提出了些思索和建議。
2 微電子三封裝
微電子封裝,先我們要敘述下三封裝的概念。般說來,微電子封裝分為三。所謂封裝就是在半導(dǎo)體圓片裂片以后,將個或多個集成電路芯片用適宜的封裝形式封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實用功能的電子元器件或組件。封裝包括單芯片組件(SCM)和多芯片組件(MCM)兩大類。三封裝就是將二封裝的產(chǎn)品通過選層、互連插座或柔電路板與母板連結(jié)起來,形成三維立體封裝,構(gòu)成完整的整機系統(tǒng),這封裝應(yīng)包括連接器、迭層組裝和柔電路板等相關(guān)材料、設(shè)計和組裝。這也稱系統(tǒng)封裝。所謂微電子封裝是個整體的概念,包括了從封裝到三封裝的內(nèi)容。我們應(yīng)該把現(xiàn)有的認(rèn)識納入微電子封裝的軌道,這樣既有利于我國微電子封裝界與國外的交流,也有利于我國微電子封裝自身的發(fā)展。
3 微電子封裝
集成電路封裝的歷史,其發(fā)展主要劃分為三個階段。*階段,在二十世紀(jì)七十年代之前,以插裝型封裝為主。包括zui初的金屬圓形(TO型)封裝,后來的陶瓷雙列直插封裝(CDIP)、陶瓷-玻璃雙列直插封裝(CerDIP)和塑料雙列直插封裝(PDIP)。尤其是PDIP,由于能、成本低廉又能批量生產(chǎn)而成為主流產(chǎn)品。第二階段,在二十世紀(jì)八十年代以后,以表面安裝類型的四邊引線封裝為主。當(dāng)時,表面安裝被稱作電子封裝領(lǐng)域的場革命,得到迅猛發(fā)展。與之相適應(yīng),批適應(yīng)表面安裝的封裝形式,如塑料有引線片式裁體(PLCC)、塑料四邊引線扁平封裝(PQFP)、塑料小外形封裝(PSOP)以及無引線四邊扁平封裝等封裝形式應(yīng)運而生,迅速發(fā)展。由于密度、引線節(jié)距小、成本低并適于表面安裝,使PQFP成為這時期的主導(dǎo)產(chǎn)品。第三階段,在二十世紀(jì)九十年代以后,以面陣列封裝形式為主。薄膜多層基板MCM(MCM-D),塑料多層印制板MCM(MCM-L)和厚薄膜基板MCM(MCM-C/D)。
3.1焊球陣列封裝(BGA)
陣列封裝(BGA)是上九十年代初發(fā)展起來的種封裝。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面,BGA的優(yōu)點是I/O引腳數(shù)雖然增加了,但引腳間距并沒有減小反而增加了,從而提了組裝成品率;雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,從而可以改善它的電熱能;厚度和重量都較以前的封裝有所減少;寄生參數(shù)減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提;組裝可用共面焊接,。
這種BGA的突出的優(yōu)點:①電能好:BGA用焊球代替引線,引出路徑短,減少了引腳延遲、電阻、電容和電感;②封裝密度;由于焊球是整個平面排列,因此對于同樣面積,引腳數(shù)。例如邊長為31mm的BGA,當(dāng)焊球節(jié)距為1mm時有900只引腳,相比之下,邊長為32mm,引腳節(jié)距為0.5mm的QFP只有208只引腳;③BGA的節(jié)距為1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm,與現(xiàn)有的表面安裝工藝和設(shè)備相容,安裝可靠;④由于焊料熔化時的表面張力具有"自對準(zhǔn)"效應(yīng),避免了傳統(tǒng)封裝引線變形的損失,大大提了組裝成品率;⑤BGA引腳牢固,轉(zhuǎn)運方便;⑥焊球引出形式同樣適用于多芯片組件和系統(tǒng)封裝。因此,BGA得到爆炸的發(fā)展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球陣列封裝(PBGA),陶瓷焊球陣列封裝(CBGA),載帶焊球陣列封裝(TBGA),帶散熱器焊球陣列封裝(EBGA),金屬焊球陣列封裝(MBGA),還有倒裝芯片焊球陣列封裝(FCBGA。PQFP可應(yīng)用于表面安裝,這是它的主要優(yōu)點。但是當(dāng)PQFP的引線節(jié)距達到0.5mm時,它的組裝的復(fù)雜將會增加。在引線數(shù)大于200條以上和封裝體尺寸過28mm見方的應(yīng)用中,BGA封裝取代PQFP是必然的。在以上幾類BGA封裝中,F(xiàn)CBGAzui有·希望成為發(fā)展zui快的BGA封裝,我們不妨以它為例,敘述BGA的工藝和材料。FCBGA除了具有BGA的優(yōu)點以外,還具有:①熱能,芯片背面可安裝散熱器;②,由于芯片下填料的作用,使FCBGA抗疲勞壽命大大增強;③可返修強。
因為表面組裝板上已經(jīng)裝有其他元器件,因此必須采用BGA小模板,模板厚度與開口尺寸要根據(jù)球徑和球距確定,印刷完畢后必須檢查印刷質(zhì)量,如不合格,必須將PCB清洗干凈并涼干后重新印刷。對于球距為0.4mm以下的CSP,可以不印焊膏,因此不需要加工返修用的模板,直接在PCB的焊盤上涂刷膏狀助焊劑。需要拆元件的PCB放到焊爐里,按下再流焊鍵,等機器按設(shè)定的程式走完,在溫度zui時按下進出鍵,用真空吸筆取下要拆下的元件,PCB板冷卻即可。
FCBGA所涉及的關(guān)鍵包括芯片凸點制作、倒裝芯片焊接、多層印制板制作(包括多層陶瓷基板和BT樹脂基板)、芯片底部填充、焊球附接、散熱板附接等。它所涉及的封裝材料主要包括以下幾類。凸點材料:Au、PbSn和AuSn等;凸點下金屬化材料:Al/Niv/Cu、Ti/Ni/Cu或Ti/W/Au;焊接材料:PbSn焊料、無鉛焊料;多層基板材料:溫共燒陶瓷基板(HTCC)、低溫共燒陶瓷基板(LTCC)、BT樹脂基板;底部填充材料:液態(tài)樹脂;導(dǎo)熱膠:硅樹脂;散熱板:銅。目前,上FCBGA的系列示于表1。
3.2 芯片尺寸封裝(CSP)
CSP(Chip Scale Package)封裝,是芯片封裝的意思。CSP封裝代的內(nèi)存芯片封裝,其能又有了新的提升。CSP封CSP封裝裝可以讓芯片面積與封裝面積之比過1:1.14,已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況,尺寸也有32平方毫米,約為普通的BGA的1/3,相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比,同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提三倍。
芯片尺寸封裝(CSP)和BGA是同時代的產(chǎn)物,是整機小型化、便攜化的結(jié)果。美國JEDEC給CSP的定義是:LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積12的封裝稱為CSP。由于許多CSP采用BGA的形式,所以zui近兩年封裝界人士認(rèn)為,焊球節(jié)距大于等于lmm的為BGA,小于lmm的為CSP。由于CSP具有突出的優(yōu)點:①近似芯片尺寸的小型封裝;②保護裸芯片;③電、熱;④封裝密度;⑤便于測試和老化;⑥便于焊接、安裝和修整換。因此,九十年代中期得到大跨度的發(fā)展,每年增長倍左右。由于CSP正在處于蓬勃發(fā)展階段,因此,它的種類有限多。如剛基板CSP、柔基板CSP、引線框架型CSP、微小模塑型CSP、焊區(qū)陣列CSP、微型BGA、凸點芯片載體(BCC)、QFN型CSP、芯片迭層型CSP和圓片CSP(WLCSP)等。CSP的引腳節(jié)距般在1.0mm以下,有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm和0.25mm等。表2示出了CSP系列。
般地CSP,都是將圓片切割成單個IC芯片后再實施后道封裝的,而WLCSP則不同,它的或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的,zui后將圓片直接切割成分離的立器件。所以這種封裝也稱作圓片封裝(WLP) 。因此,除了CSP的共同優(yōu)點外,它還具有的優(yōu)點:①封裝加工效率,可以多個圓片同時加工;②具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點,即輕、薄、短、小;③與前工序相比,只是增加了引腳重新布線(RDL)和凸點制作兩個工序,其余是傳統(tǒng)工藝;④減少了傳統(tǒng)封裝中的多次測試。因此上各大型IC封裝公司紛紛投入這類WLCSP的研究、開發(fā)和生產(chǎn)。WLCSP的不足是目前引腳數(shù)較低,還沒有化和成本較。圖4示出了WLCSP的外形圖。圖5示出了這種WLCSP的工藝流程。
CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式地縮短了信號的傳導(dǎo)距離,其衰減隨之減少,芯片的、抗噪能也能得到大幅提升,這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-2。在CSP的封裝方式中,內(nèi)存顆粒是通過個個錫球焊接在PCB板上,由于焊點和PCB板的接觸面積較大,所以內(nèi)存芯片在運行中所產(chǎn)生的熱量可以很地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱,且熱效率良好,CSP的熱阻為35℃/W,而TSOP熱阻40℃/W。
CSP是在電子產(chǎn)品的新?lián)Q代時提出來的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能多,能好,芯片復(fù)雜)替代以前的小芯片時,其封裝體占用印刷板的面積保持不變或小。正是由于CSP產(chǎn)品的封裝體小、薄,因此它的手持式移動電子設(shè)備中迅速獲得了應(yīng)用。在1996年8月,日本Sharp公司就開始了批量生產(chǎn)CSP產(chǎn)品;在1996年9月,日本索尼公司開始用日本TI和NEC公司提供的CSP產(chǎn)品組裝攝像機;在1997年,美國也開始生產(chǎn)CSP產(chǎn)品。上有幾十家公司可以提供CSP產(chǎn)品,CSP產(chǎn)品品種多達百種以上。[
WLCSP所涉及的關(guān)鍵除了前工序所必須的金屬淀積、光刻、蝕刻等以外,還包括重新布線(RDL)和凸點制作。通常芯片上的引出端焊盤是排到在管芯周邊的方形鋁層,為了使WLP適應(yīng)了SMT二封裝較寬的焊盤節(jié)距,需將這些焊盤重新分布,使這些焊盤由芯片周邊排列改為芯片有源面上陣列排布,這就需要重新布線(RDL)。焊料凸點制作可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以電鍍法,其次是焊膏印刷法。重新布線中UBM材料為Al/Niv/Cu、T1/Cu/Ni或Ti/W/Au。所用的介質(zhì)材料為光敏BCB(苯并環(huán)丁烯)或PI(聚酰亞胺)凸點材料有Au、PbSn、AuSn、In等。 3.3 3D封裝
3D封裝主要有三種類型,即埋置型3D封裝,當(dāng)前主要有三種途徑:種是在基板內(nèi)或多層布線介質(zhì)層中"埋置"R、C或IC等元器件,zui上層再貼裝SMC和SMD來實現(xiàn)立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱為埋置型3D封裝;第二種是在硅圓片規(guī)模集成(WSl)后的有源基板上再實行多層布線,zui上層再貼裝SMC和SMD,從而構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱為有源基板型3D封裝;第三種是在2D封裝的基礎(chǔ)上,把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進行疊層互連,構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。原因有兩個。是巨大的手機和其它消費類產(chǎn)品市場的驅(qū)動,要求在增加功能的同時減薄封裝厚度。二是它所用的工藝基本上與傳統(tǒng)的工藝相容,經(jīng)過改進很快能批量生產(chǎn)并投入市場。據(jù)Prismarks預(yù)測,的手機銷售量將從2001年的393M增加到2006年的785M~1140M。年增長率達到15~24%。因此在這個基礎(chǔ)上估計,疊層裸芯片封裝從目前到2006年將以50~6的速度增長。圖6示出了疊層裸芯片封裝的外形。它的目前水平和發(fā)展趨勢示于表3。
疊層裸芯片封裝有兩種疊層方式,種是金字塔式,從底層向上裸芯片尺寸越來越??;另種是懸梁式,疊層的芯片尺寸樣大。應(yīng)用于手機的初期,疊層裸芯片封裝主要是把FlashMemory和SRAM疊在起,目前已能把FlashMemory、DRAM、邏輯IC和模擬IC等疊在起。疊層裸芯片封裝所涉及的關(guān)鍵有如下幾個。①圓片減薄,由于手機等產(chǎn)品要求封裝厚度越來越薄,目前封裝厚度要求在1.2mm以下甚至1.0mm。而疊層芯片數(shù)又不斷增加,因此要求芯片必須減薄。圓片減薄的方法有機械研磨、化學(xué)刻蝕或ADP(Atmosphere DownstreamPlasma)。機械研磨減薄般在150μm左右。而用等離子刻蝕方法可達到100μm,對于75-50μm的減薄正在研發(fā)中;②低弧度鍵合,因為芯片厚度小于150μm,所以鍵合弧度必須小于150μm。與此同時,反向引線鍵合要增加個打彎工藝以不同鍵合層的間隙;③懸梁上的引線鍵合,懸梁越長,鍵合時芯片變形越大,必須優(yōu)化設(shè)計和工藝;④圓片凸點制作;⑤鍵合引線無擺動(NOSWEEP)模塑。由于鍵合引線密度,長度長,形狀復(fù)雜,增加了短路的可能。使用低粘度的模塑料和降低模塑料的轉(zhuǎn)移速度減小鍵合引線的擺動。目前已發(fā)明了鍵合引線無擺動(NOSWEEP)模塑。
3.4系統(tǒng)封裝(SIP)
實現(xiàn)電子整機系統(tǒng)的功能,通常有兩個途徑。種是系統(tǒng)芯片(Systemon Chip),簡稱SOC。即在單的芯片上實現(xiàn)電子整機系統(tǒng)的功能;另種是系統(tǒng)封裝(SysteminPackage),簡稱SIP。即通過封裝來實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。從學(xué)術(shù)上講,這是兩條路線,就象單片集成電路和混合集成電路樣,各有各的優(yōu)勢,各有各的應(yīng)用市場。在上和應(yīng)用上都是相互補充的關(guān)系,作者認(rèn)為,SOC應(yīng)主要用于應(yīng)用周期較長的產(chǎn)品,而SIP主要用于應(yīng)用周期較短的消費類產(chǎn)品。
SIP 的個重要特點是它不定義要建立的會話的類型,而只定義應(yīng)該如何管理會話。有了這種靈活,也就意味著SIP可以用于眾多應(yīng)用和服務(wù)中,包括交互式游戲、音樂和視頻點播以及語音、視頻和 Web 會議。SIP消息是基于文本的,因而易于讀取和調(diào)試。新服務(wù)的編程加簡單,對于設(shè)計人員而言加直觀。SIP如同電子郵件客戶機樣重用 MIME 類型描述,因此與會話相關(guān)的應(yīng)用程序可以自動啟動。SIP 重用幾個現(xiàn)有的比較成熟的 Internet 服務(wù)和協(xié)議,如 DNS、RTP、RSVP 等。
SIP 較為靈活,可擴展,而且是開放的。它激發(fā)了 Internet 以及固定和移動 IP 網(wǎng)絡(luò)推出服務(wù)的威力。SIP 能夠在多臺 PC 和上完成網(wǎng)絡(luò)消息,模擬 Internet 建立會話。
SIP是使用成熟的組裝和互連,把集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及無源元件如電容、電感等集成到個封裝體內(nèi),實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。主要的優(yōu)點包括:①采用現(xiàn)有商用元器件,制造成本較低;②產(chǎn)品進入市場的周期短;③無論設(shè)計和工藝,有較大的靈活;④把不同類型的電路和元件集成在起,相對實現(xiàn)。美國佐治亞理工學(xué)院PRC研究開發(fā)的單集成模塊(SingleIntegrated Module)簡稱SLIM,就是SIP的,該項目完成后,在封裝效率、能和方面提10倍,尺寸和成本較大下降。到2010年預(yù)期達到的目標(biāo)包括布線密度達到6000cm/cm2;熱密度達到100W/cm2;元件密度達到5000/cm2;I/O密度達到3000/cm2。
盡管SIP還是種新,目前尚不成熟,但仍然是個有發(fā)展前景的,尤其在中國,可能是個發(fā)展整機系統(tǒng)的捷徑。
4 思考和建議
面對蓬勃發(fā)展的微電子封裝形勢,分析我國目前的現(xiàn)狀,我們必須深思些問題。
?。?)微電子封裝與電子產(chǎn)品密不可分,已經(jīng)成為制約電子產(chǎn)品乃至系統(tǒng)發(fā)展的核心,是電子行業(yè)制造,誰掌握了它,誰就將掌握電子產(chǎn)品和系統(tǒng)的未來。
?。?)微電子封裝必須與時俱進才能發(fā)展。微電子封裝的歷史證明了這點。我國微電子封裝如何與時俱進?當(dāng)務(wù)之急是研究我國微電子封裝的發(fā)展戰(zhàn)略,制訂發(fā)展規(guī)劃。二是優(yōu)化我國微電子封裝的科研生產(chǎn)體系。三是積倡導(dǎo)和大力發(fā)展屬于我國自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)。否則,我們將越跟蹤越落后。在這點上,我們可以很好地借鑒韓國和中國臺灣的經(jīng)驗。
?。?)度重視微電子三封裝的垂直集成。我們應(yīng)該以電子系統(tǒng)為,牽動、二和三封裝,方能占領(lǐng)市場,提經(jīng)濟效益,不斷發(fā)展。我們曾倡議把手機和作為平臺發(fā)展我國的微電子封裝,就是出于這種考慮。
?。?)度重視不同領(lǐng)域和的交叉及融合。不同材料的交叉和融合產(chǎn)生新的材料;不同交叉和融合產(chǎn)生新的;不同領(lǐng)域的交叉和融合產(chǎn)生新的領(lǐng)域。過去,同行業(yè)交流很多,但不同行業(yè)交流不夠。我們應(yīng)該充分發(fā)揮電子學(xué)會各分會的作用,積組織這種交流。
?。?)我們的觀念、和管理必須與接軌,走合作之路,把我們民族的精華與精彩的溶為體,共同發(fā)展。
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